Réacteurs plasma basse pression

 

Contacts: F. Arefi-Khonsari, J. Pulpytel

1- Réacteur de Pulvérisation magnétron

La pulvérisation cathodique (ou sputtering) est une méthode de dépôt de couche mince. Il s'agit d'une technique qui autorise la synthèse de plusieurs matériaux à partir de la condensation d’une vapeur métallique issue d’une source solide (cible) sur un substrat. Les sources de pulvérisation sont habituellement des magnétrons qui utilisent des champs forts électriques et magnétiques pour emprisonner des électrons près de la surface du magnétron, qui est connu comme la cible. Les électrons suivent des trajectoires hélicoïdales autour des lignes de champ magnétique subissant plus de collisions ionisantes avec les éléments neutres gazeux près de la surface de cible que cela ne se produirait autrement. En savoir +               

Le bâti de pulvérisation magnétron du LISE (SPT120, RF :13.56 MHz ) est commercialisé par la société Plasmionique (Canada) qui utilise une cathode magnétron équilibrée (MAGNION-B). Le groupe de pompage inclut une pompe turbomoléculaire (300 L/s, Varian TV301 Navigator) et une pompe mécanique (ULVAC). Notre système est muni de deux cathodes magnétron de 2 pouces, ainsi qu’un spectromètre d’émission optique qui permet en identifiant et en suivant les espèces excitées dans la décharge de contrôler la stœchiométrie des films déposés.

 

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2- Réacteur de dépôt des couches minces par technique PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma):

Ce procédé permet de déposer des couches minces sur des substrats de nature différente à partir de la vapeur d’un précurseur organique. Le plasma créé par une décharge électrique permet d’initier plusieurs réactions chimiques qui vont conduire à la formation d’une couche mince sur toute surface exposée au plasma.

Le LISE est équipé d’un Réacteur Basse Pression à couplage inductif – ICP (Inductively Coupled Plasma) pour le dépôt des couches minces de polymère et co-polymère plasma (Plasmionique FLR300-H). Ce type de réacteur permet de bénéficier d’une forte densité électronique. Le système permet d’introduire simultanément les vapeurs de deux précurseurs organiques.

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